由此實(shí)現(xiàn)世界上最小晶體管在接通電源情況下單個(gè)原子的受控可逆運(yùn)動(dòng)。單原子晶體管由金屬構(gòu)成，不含半導(dǎo)體材料，所需電壓極低，能耗也極低。據(jù)稱，單原子晶體管的能耗將只有傳統(tǒng)硅基晶體管的萬分之一（1/10000）。與傳統(tǒng)量子電子元件不同，單原子晶體管不需要在接近絕對零度的低溫條件工作，它可以在室溫下工作，這對未來應(yīng)用是一個(gè)決定性的優(yōu)勢。

雖然，所有以指數(shù)規(guī)律增長的曲線在物理意義上均是不可持續(xù)的，摩爾定律正是如此。然而，人們卻一直想方設(shè)法地去延續(xù)摩爾定律，為什么明知不可為而為之？這其實(shí)代表了人類的一種理想主義，這種理想或信念往往讓人類超越自身，創(chuàng)造出意想不到的科技和文明。或許正是人們相信了摩爾定律的可持續(xù)性，從而帶來的信念推動(dòng)了集成電路五十多年的高速發(fā)展。摩爾定律剛提出的時(shí)候，我想摩爾本人也不相信在不到芝麻粒大小的一平方毫米，可以集成超過一億只以上的晶體管。今天，在指甲蓋大小的芯片上，集成的晶體管數(shù)量超過了100億，還可以再多嗎？答案依然是肯定的。然而，隨著芯片特征尺寸日益走向極致（3nm~1nm），集成電路中晶體管尺寸的微縮逐漸接近硅原子的物理極限。1nm的寬度中僅能容納2個(gè)硅原子晶格（a=0.5nm）,也就是說，在單晶硅中，3個(gè)硅原子并排排列的寬度就達(dá)到了1nm。下一步，集成電路技術(shù)會(huì)走向何方呢？在本文中，您或許能找到自己的答案。

更多的晶體管

       現(xiàn)代科技的發(fā)展是以集成電路為基石。集成電路發(fā)展的最直接的目標(biāo)就是在單位面積內(nèi)或者單位體積內(nèi)集成更多的晶體管。因此，集成電路的第一個(gè)發(fā)展方向就是集成更多的晶體管。

單位面積內(nèi)更多的晶體管    

       在單位面積內(nèi)集成更多的晶體管就需要將晶體管做的更小，幾十年來，在摩爾定律的推動(dòng)下，晶體管的特征尺寸從毫米級到微米級再到納米級，尺寸縮小了百萬倍。今天，在一平方毫米內(nèi)可集成超過上億的晶體管，芯片上的晶體管數(shù)量已經(jīng)達(dá)到百億量級。

在單位面積內(nèi)集成更多的晶體管

       那么，晶體管能小到什么程度呢？大致受兩個(gè)因素的制約，一個(gè)是晶體管內(nèi)最小的結(jié)構(gòu)寬度，另一個(gè)是晶體管自身所占的面積。

       晶體管的最小的結(jié)構(gòu)寬度在22nm之前，通常是柵極寬度，被稱為特征尺寸。隨著晶體管面積的日益縮小，特征尺寸和廠家的命名逐漸脫節(jié)，而柵極寬度也不再是晶體管的最小結(jié)構(gòu)寬度，例如在FinFET中，F(xiàn)in的寬度通常是小于柵極寬度的，在GAA堆疊納米片晶體管中，納米片的厚度也是要小于柵極寬度的。

       因此，各大Foundry不再以柵極寬度作為晶體管的特征尺寸，其工藝節(jié)點(diǎn)成為一個(gè)代名詞，并不和某個(gè)特定的寬度相對應(yīng)，但依然是有其物理意義的。主要體現(xiàn)在晶體管面積的縮小，在同樣的面積內(nèi)可集成更多的晶體管。

       例如，蘋果A13芯片采用7nm工藝制程，內(nèi)有85億個(gè)晶體管，其面積為94.48平方毫米，在1平方毫米可集成8997萬個(gè)晶體管：0.8997億/mm^2。蘋果A14芯片采用5nm工藝制程，內(nèi)有118億個(gè)晶體管，其面積為88平方毫米，在1平方毫米可集成1.34億個(gè)晶體管：1.34億/mm^2

       兩者的晶體管平均面積之比為1.49，如果嚴(yán)格按照7:5的比值為1.4，其平方為1.96，可以看出，相對于7納米芯片，5納米芯片做到了理論值的76%。這也是intel一直認(rèn)為別的Foundry廠家的命名有水分的原因。

       從平面晶體管到FinFET到GAA，晶體管的尺寸不斷縮小，結(jié)構(gòu)不斷優(yōu)化，就是為了在單位面積內(nèi)集成更多的晶體管。

單位體積內(nèi)更多的晶體管

       而在單位體積內(nèi)集成更多的晶體管，除了可以將晶體管做的更小之外，還因?yàn)槎嗔艘粋€(gè)空間維度，因此可以將晶體管堆疊起來。

在單位體積內(nèi)集成更多的晶體管

       如何進(jìn)行晶體管的堆疊呢？大致兩種方法，第一種就是在晶圓上通過特殊工藝將晶體管直接做成多層的；另外一種就是和傳統(tǒng)工藝相同的方法在晶圓上制作一層晶體管，然后將多個(gè)晶圓堆疊起來，晶圓之間通過TSV連接。關(guān)于第一種方法，目前有很多研究，例如將NMOS堆疊在PMOS上，從而節(jié)省一半的面積，使晶體管密度提升一倍。其難點(diǎn)在于上層的晶體管沒有致密的硅基底作為支撐，很難制作出高質(zhì)量的晶體管，另外，目前的技術(shù)也只能支持兩層堆疊。

       第二種方法目前應(yīng)用如火如荼，通常被稱之為先進(jìn)封裝技術(shù)（Advanced Packaging）。先進(jìn)封裝也稱為HDAP高密度先進(jìn)封裝，目前受關(guān)注度很高，技術(shù)發(fā)展迅速，晶圓間互連的TSV密度越來越高，并且理論上不受堆疊層數(shù)的限制，最先進(jìn)的技術(shù)目前掌握在Foundry手中。

       不過，現(xiàn)在Foundry廠逐漸不把其作為封裝技術(shù)來看待，而將其視為晶圓制造的一個(gè)重要環(huán)節(jié)，例如TSMC，在其產(chǎn)品線種將其定義為3D Fabric。理論上講，XYZ三個(gè)維度并沒有本質(zhì)不同，因此，增加一個(gè)維度，其集成的晶體管數(shù)量可能會(huì)成千上萬倍地增加，這也被很多人認(rèn)為摩爾定律可持續(xù)的重要原因。在集成電路中，晶體管作為最小的功能單位，我們可以稱之為功能細(xì)胞。在單位體積內(nèi)集成更多的功能細(xì)胞，即提升系統(tǒng)的功能密度。從歷史來看，在所有的人造系統(tǒng)中，功能密度都在不斷地提升，雖然不同的歷史階段提升的有快有慢，但在人類文明發(fā)展的進(jìn)程中不會(huì)停滯。

擴(kuò)展硅元素

       雖然化合物半導(dǎo)體近來比較熱門，但集成電路中，硅目前還是占據(jù)著絕對的主流位置。因此，芯片制造商一直試圖將化合物半導(dǎo)體應(yīng)用在傳統(tǒng)的硅晶圓上，從而有效利用現(xiàn)有資源并創(chuàng)造出更大的經(jīng)濟(jì)效益。

硅基氮化鎵技術(shù)    

       通過在300毫米的硅晶圓上集成氮化鎵基（GaN-based）功率器件與硅基CMOS，實(shí)現(xiàn)了更高效的電源技術(shù)。這為CPU提供低損耗、高速電能傳輸創(chuàng)造了條件，同時(shí)也減少了主板組件和空間。氮化鎵半導(dǎo)體器件主要可分為GaN-on-Si（硅基氮化鎵）、GaN-on-SiC（碳化硅基氮化鎵），GaN-on-sapphire（藍(lán)寶石基氮化鎵）等幾種晶圓。由于成本和技術(shù)等因素，硅基氮化鎵成為了目前半導(dǎo)體市場主流。英特爾在300毫米的硅晶圓上首次集成氮化鎵基（GaN-based）功率器件，此研究驗(yàn)證了300毫米工藝兼容可行性，更適配高電壓應(yīng)用，增加了功能，提升了大規(guī)模制造可能性。

       全世界現(xiàn)在大概有上萬億美元的投資都是在300毫米硅晶圓設(shè)備、生態(tài)系統(tǒng)上，需要把這些充分利用起來，這樣制造成本才能下降。此外，臺積電目前采用的也是GaN-on-Si（硅基氮化鎵）技術(shù)。

新型鐵電體材料

       另一項(xiàng)技術(shù)是利用新型鐵電體材料作為下一代嵌入式DRAM技術(shù)的可行方案。該項(xiàng)技術(shù)可提供更大內(nèi)存資源和低時(shí)延讀寫能力，用于解決從人工智能到高性能計(jì)算等應(yīng)用所面臨的日益復(fù)雜的問題。新型鐵電存儲(chǔ)器，采用新的技術(shù)實(shí)現(xiàn)了2納秒的讀寫速度和超過10的12次方的讀寫周期，其性能和壽命都遠(yuǎn)超現(xiàn)有的存儲(chǔ)器。

       鐵電存儲(chǔ)器可以和傳統(tǒng)的CMOS工藝結(jié)合，用來作為從L1 Cache到DRMA之間的中間層。

       擴(kuò)展硅元素，在功率器件和內(nèi)存增益領(lǐng)域提升硅基半導(dǎo)體的性能，目前已經(jīng)取得了不錯(cuò)的進(jìn)展。人們還在不斷地努力探尋其它的方法來擴(kuò)展硅元素。

探尋量子領(lǐng)域

       由于量子力學(xué)隧道效應(yīng)，電子可以穿越絕緣體，這將使元件功能失效。人們開始尋找一種新型晶體管，可以進(jìn)一步提高未來集成電路的性能，作為傳統(tǒng)晶體管的替代品。目前有很多研究，但還沒有領(lǐng)先者可以取代硅MOSFET。研究人員列出了一系列MOSFET替代品，包括隧道場效應(yīng)晶體管TFET，碳納米管場效應(yīng)晶體管，單原子晶體管。

隧道場效應(yīng)晶體管    

       隧道場效應(yīng)晶體管（TFET-Tunnel Field Effect Transistor），和傳統(tǒng)MOSFET晶體管原理不同，在TFET中源極和漏極摻雜不同。它使用量子力學(xué)隧道效應(yīng)，柵極和源極之間的電壓決定了電荷載流子是否可以“隧穿”通過源極和漏極之間的能量勢壘，以及電流是否可能流動(dòng)。

       根據(jù)量子理論，有些電子縱使明顯缺乏足夠的能量來穿過能量勢壘，它們也能做到這一點(diǎn)，這就是量子隧道效應(yīng)。

       在隧道場效應(yīng)晶體管中，兩個(gè)小槽被一個(gè)能量勢壘分開。在第一個(gè)小槽中，一大群電子在靜靜等待著，晶體管沒有被激活，當(dāng)施加電壓時(shí)，電子就會(huì)通過能量勢壘并且移入第二個(gè)小槽內(nèi)，同時(shí)激活晶體管。TFET在結(jié)構(gòu)上類似于傳統(tǒng)晶體管，但在開關(guān)方面利用了量子力學(xué)隧道效應(yīng)，既節(jié)能又快捷。

       通過減少能量勢壘的幅度，增強(qiáng)并利用量子效應(yīng)將成為可能，因此，電子穿過勢壘所需要的能量會(huì)大大減少，晶體管的能耗也會(huì)因此而顯著下降。利用量子隧道效應(yīng)研制出的隧道場效應(yīng)晶體管有望將芯片的能耗減少到百分之一（1/100）。

碳納米管場效應(yīng)晶體管

       碳納米管場效應(yīng)晶體管（CNFET-Carbon Nanotube Field Effect Transistor）

       在CNFET中，源極和漏極之間的溝道由碳納米管組成，其直徑僅有1–3 nm, 意味著其作為晶體管的溝道更容易被柵控制。因此, 碳納米管晶體管比傳統(tǒng)硅基晶體管在比例縮減上的潛力會(huì)更大。

       碳納米管具有超高的室溫載流子遷移率和飽和速度，室溫下，碳納米管中載流子遷移率大約為硅的100倍, 飽和速度大約是硅的4倍。在相同溝道長度下, 載流子遷移率越高，飽和速度越高，速度越快，并能增加能量的利用效率。

       碳納米管晶體管具備超低電壓驅(qū)動(dòng)的潛力，從而在低功耗方面具有巨大優(yōu)勢，在溝道材料的選擇中, 碳納米管溝道同時(shí)具備了天然小尺寸、更好的尺寸縮減潛力和低功耗等關(guān)鍵因素。

單原子晶體管

       單原子晶體管（Single-Atom Transistor），在這種晶體管中，控制電極移動(dòng)一個(gè)原子，該原子可以連接兩端之間的微小間隙，從而使電流能夠流動(dòng)。原則上，它的工作原理就像一個(gè)有兩個(gè)穩(wěn)定狀態(tài)的繼電器。

       在單原子晶體管中，通過源極和柵極之間的電壓移動(dòng)單個(gè)原子，從而關(guān)閉或打開源極和漏極之間的電路。

       在只有單一金屬原子寬度的縫隙間建立微小的金屬觸點(diǎn)，實(shí)現(xiàn)目前晶體管所能達(dá)到的最小極限。在此縫隙通過電控脈沖移動(dòng)單個(gè)原子，完成電路閉合，將該原子移出縫隙，電路被切斷。

總 結(jié)

       這篇文章源于2021年末英特爾的一次媒體技術(shù)解讀會(huì)，在這次會(huì)議中，英特爾副總裁盧東輝博士詳細(xì)解讀了Intel在IEDM 2021上發(fā)布的三個(gè)關(guān)鍵領(lǐng)域的技術(shù)突破。這次媒體技術(shù)解讀會(huì)之后，我對其中涉及的技術(shù)點(diǎn)進(jìn)行了詳細(xì)的分析并進(jìn)行了一定的擴(kuò)展，從intel所取得的技術(shù)突破，擴(kuò)展到了整個(gè)行業(yè)的技術(shù)發(fā)展方向。更多的晶體管，擴(kuò)展硅元素，探尋量子領(lǐng)域，是集成電路技術(shù)發(fā)展的三大方向。目前看來，最切合實(shí)際的發(fā)展方向還是更多的晶體管，我們可以將其定為近期的目標(biāo)，而其他兩項(xiàng)則可以看做相對長遠(yuǎn)的目標(biāo)。如何實(shí)現(xiàn)更多的晶體管，推薦大家參考上面這本厚厚的新書，相信會(huì)有更多的收獲！

來源：SiP與先進(jìn)封裝技術(shù)